| 发明名称 | 间隙填充方法 | ||
| 摘要 | 间隙填充方法。提供了一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，该半导体衬底具有在所述衬底的表面上的浮雕图像，该浮雕图像包括多个待填充间隙；(b)将间隙填充组合物涂覆到该浮雕图像上，其中该间隙填充组合物包含未交联的可交联聚合物、酸催化剂、交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包括以下通式(I)的第一单元以及以下通式(II)的第二单元；(c)加热该间隙填充组合物到使聚合物交联的温度。<img file="DSA0000114368250000011.GIF" wi="540" he="646" /> | ||
| 申请公布号 | CN105304550A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410858450.4 | 申请日期 | 2014.12.23 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 发明人 | 沈载桓;朴琎洪;林载峰;赵廷奎;徐承柏;朴钟根;李明琦;P·D·胡斯塔德 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈哲锋 |
| 主权项 | 一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，该半导体衬底具有在所述衬底的表面上的浮雕图像，该浮雕图像包括多个待填充间隙；(b)将间隙填充组合物涂覆到该浮雕图像上，其中该间隙填充组合物包含未交联的可交联聚合物、酸催化剂、交联剂和溶剂，其中所述可交联聚合物包括以下通式(I)的第一单元：<img file="FSA0000114368270000011.GIF" wi="449" he="228" />其中：R<sub>1</sub>选自氢、氟、C<sub>1</sub>‑C<sub>3</sub>烷基和C<sub>1</sub>‑C<sub>3</sub>氟烷基；以及Ar<sub>1</sub>是不含可交联基团例如羟基的任选取代的芳基；以及以下通式(II)的第二单元：<img file="FSA0000114368270000012.GIF" wi="537" he="299" />其中：R<sub>3</sub>选自氢、氟、C<sub>1</sub>‑C<sub>3</sub>烷基和C<sub>1</sub>‑C<sub>3</sub>氟烷基；且R<sub>4</sub>选自任选取代的C<sub>1</sub>‑C<sub>12</sub>线性、支链或环状烷基，以及任选取代的C<sub>6</sub>‑C<sub>15</sub>芳基，任选含有杂原子，其中至少一个氢原子被由独立地选自羟基、羧基、硫醇、胺、环氧基、烷氧基、酰胺和乙烯基的官能团取代；以及(c)加热该间隙填充组合物到使聚合物交联的温度。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||