| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括衬底和再生长区域。衬底由具有第一晶格常数的第一材料制成，并且再生长区域由第一材料和第二材料制成，具有不同于第一晶格常数的晶格常数。再生长区域部分地位于衬底中。再生长区域具有从衬底的表面处到再生长区域的最宽处的顶点处垂直测量的“尖端深度”，并且尖端深度小于10nm。再生长区域还包括基本由第一材料制成的顶层，并且所述顶层基本具有第一晶格常数。本发明还提供了一种用于制造半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105304632A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510288803.6 | 申请日期 | 2015.05.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 光心君;余宗兴;许义明;李俊毅;刘佳雯 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底，由第一材料制成且具有第一晶格常数；以及再生长区域，由所述第一材料和第二材料制成且具有不同于所述第一晶格常数的晶格常数，并且所述再生长区域部分地位于所述衬底中，其中，所述再生长区域还包括基本由所述第一材料制成的第一层，并且所述第一层基本具有所述第一晶格常数。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||