发明名称 |
一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构,所述测试结构至少包括:从内向外依次包围的至少两组下层金属封闭结构,其中一组下层金属封闭结构接地,与该接地的下层金属封闭结构相邻的一组下层金属封闭结构定义为金属接触层;至少两组上层金属结构,所有上层金属结构均与所述金属接触层通过通孔电连,所述上层金属层处于电性悬空状态。利用本实用新型的测试结构,可以快速有效地实时探测到缺陷的位置,缩短28nm工艺的周期时间,降低线上及线下的成本。 |
申请公布号 |
CN205016496U |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201520788447.X |
申请日期 |
2015.10.12 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
于倩倩 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
唐棉棉 |
主权项 |
一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:从内向外依次包围的至少两组下层金属封闭结构,其中一组下层金属封闭结构接地,与该接地的下层金属封闭结构相邻的一组下层金属封闭结构定义为金属接触层;至少两组上层金属结构,所有上层金属结构均与所述金属接触层通过通孔电连,所述上层金属层处于电性悬空状态。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |