一种大功率晶闸管的改性钼基片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种大功率晶闸管的改性钼基片及其制备方法。本发明提出的一种大功率晶闸管的改性钼基片，包括平面度≤5μm、平行度≤10μm和表面粗糙度Ra≤0.3μm的金属钼片，其特征在于用纯度大于99.0%的金属钌离子与金属钼片固溶，在金属钼片表面形成钌钼合金渗层。本发明的改性钼基片成品具有金属钼片与钌钼合金的结合强度高、重复性好和平整度高等优点。本发明提出的一种大功率晶闸管的改性钼基片的制备方法，具体步骤包括表面预处理、钌钼固溶和退火处理，该制法实施简便、无环境污染产生，实用可靠。

主权项

一种大功率晶闸管的改性钼基片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一，表面预处理：采用平面度≤5μm、平行度≤10μm和表面粗糙度Ra≤0.3μm的金属钼片，分别用丙酮、无水乙醇进行超声波各15min清洗后，再进行吹风干燥；步骤二，钌钼固溶：将完成步骤一表面预处理的金属钼片放入离子注入机的真空室中，然后注入纯度大于99.0％的金属钌离子源，由该金属钌离子与金属钼片固溶，在金属钼片表面形成钌钼合金渗层，该真空室中的真空度≤8×10^‑3pa，加速电压为30kv～80kv，金属钌离子束的入射角度为0°～45°，金属钌离子源注入剂量为0.5×10¹⁷～1×10¹⁷ions/cm²，金属钌离子束流密度为15μA～30μA；步骤三，退火处理：对完成步骤二钌钼固溶后的金属钼片进行退火处理，而制得大功率晶闸管的改性钼基片成品，该退火处理采用氩气为退火保护气、退火温度为650℃～700℃、退火时间为15min～30min。