具有物理操作检测器及校正器的半导体元件

摘要

本发明提供一种具有物理操作检测器及校正器的半导体元件，包括第一固态老化元件(SSAD)单元及第二固态老化元件单元。第一固态老化元件单元具有至少一个第一晶体管，其第一基底及第一浮动栅极之间具有第一介电层。第二固态老化元件单元具有至少一个第二晶体管，其第二基底及第二浮动栅极之间具有第二介电层。第二介电层较厚于第一介电层。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：第一半导体基底；具有第一厚度的第一介电层，形成在该第一半导体基底的第一表面上方；第一浮动栅极，形成于该第一介电层上方；第一源极扩散区及第一漏极扩散区，分别形成于该第一半导体基底的该第一表面上方的该第一浮动栅极的两侧；第一控制栅极扩散区，从该第一源极扩散区及该第一漏极扩散区分离并形成在该第一半导体的表面上方，其中该第一源极扩散区、该第一漏极扩散区、该第一浮动栅极以及该第一控制栅极扩散区是作为第一晶体管的部件；第二半导体基底；具有第二厚度的第二介电层，形成于该第二半导体基底的第二表面上方，其中该第二厚度大于该第一厚度；第二浮动栅极，形成在该第二介电层上方；第二源极扩散区及第二漏极扩散区，分别形成于该第二半导体基底的该第二表面上方的该第二浮动栅极的两侧；第二控制栅极扩散区，从该第二源极扩散区及该第二漏极扩散区分离并形成在该第二半导体的表面上方，其中该第二源极扩散区、该第二漏极扩散区、该第二浮动栅极以及该第二控制栅极扩散区是作为第二晶体管的部件；以及共用字符线，电性连接到该第一控制栅极扩散区及该第二控制栅极扩散区。