一种控制制程等离子体损伤的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种控制制程等离子体损伤的方法，通过在对进行离子注入和退火工艺后的晶圆衬底的表面进行电性测试以获取晶圆衬底表面的第一电阻值后，继续对晶圆衬底进行待评估的高能等离子体制程，以于晶圆衬底的上表面形成沉积薄膜，并于移除沉积薄膜后；再次对晶圆衬底的表面进行电性测试以获取晶圆衬底表面的第二电阻值；之后根据该第二电阻值与第一电阻值的差值评估该晶圆衬底的等离子体损伤；该方法可以监控晶圆衬底在高能等离子体制程中的等离子体损伤，及早发现并控制异常，减少影响，并提升等离子体制程水平。

主权项

一种控制制程等离子体损伤的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆衬底；向所述晶圆衬底进行离子注入工艺后，对所述晶圆衬底进行退火工艺；对所述晶圆衬底的表面进行电性测试以获取所述晶圆衬底表面的第一电阻值；对所述晶圆衬底进行待评估的高能等离子体制程，以于所述晶圆衬底的上表面形成沉积薄膜；移除所述沉积薄膜；继续对所述晶圆衬底的表面进行电性测试以获取所述晶圆衬底表面的第二电阻值；根据所述第二电阻值与第一电阻值的差值评估所述晶圆衬底的等离子体损伤。