双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法

摘要

双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N⁺型4H-SiC衬底，在N⁺型4H-SiC衬底上依次设有第一N^-型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N^-型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N^-型外延吸收层表面形成P⁺型欧姆接触层，形成P⁺N和P⁺N^-两个PN结；在P⁺型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N⁺型4H-SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P⁺层的制备；氧化层的制备；电极的制备。

主权项

双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器，其特征在于设有N⁺型4H‑SiC衬底，在N⁺型4H‑SiC衬底上依次设有第一N^‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N^‑型外延吸收层表面刻蚀一高度，使得第二N型外延倍增层为圆台；在第二N型外延倍增层和第一N^‑型外延吸收层表面形成P⁺型欧姆接触层，形成P⁺N和P⁺N^‑两个PN结；在P⁺型欧姆接触层的表面生长二氧化硅层作为器件的钝化层；在钝化层上设有P型电极窗口，在P型电极窗口和N⁺型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。