| 发明名称 | 一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb多层复合薄膜，其结构符合通式：[GaSb(a)/Sb(b)]<sub>x</sub>，式中a、b分别表示所述的单层GaSb和单层Sb薄膜的厚度，3≤a≤7nm，b=2nm，x表示单层GaSb和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，x=13，17或者24，其由GaSb合金靶和Sb单质靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶交替溅射获得，具有较高的结晶温度，较好的热稳定性和较低的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN105304815A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510711574.4 | 申请日期 | 2015.10.28 |
| 申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 王苗;吕业刚;沈祥;王国祥;戴世勋 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人 | 何仲 |
| 主权项 | 一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，其特征在于：所述的多层纳米复合薄膜材料的化学结构式为[GaSb/Sb]<sub>x</sub>，其中单层GaSb薄膜的厚度大小为3‑7nm，单层Sb薄膜的厚度为2 nm，x表示单层GaSb和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，x=13，17或者24。 | ||
| 地址 | 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号 | ||