一种多重图形化掩膜的制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其涉及一种多重图形化掩膜的制备方法，通过沉积牺牲层作为掩膜或者作为侧墙层来制备多重图形化掩膜，有效改善了传统技术方案中制备多重化掩膜层的侧墙的两侧侧壁的形貌的差异，提高了半导体器件的性能，增加了半导体器件的良率。

主权项

一种多重图形化掩膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，于所述衬底上从下往上依次制备硬掩膜层和多晶硅层；图形化所述多晶硅层，并于图形化的多晶硅层的侧壁制备牺牲层；于位于所述图形化的多晶硅层的上表面生长一外延层；以所述外延层为掩膜，制备一侧墙层；去除所述图形化的牺牲层。