- REDUCTION OF THICKNESS VARIATIONS OF A THRESHOLD ADJUSTING SEMICONDUCTOR ALLOY BY REDUCING PATTERNING NON-UNIFORMITIES PRIOR TO DEPOSITING THE SEMICONDUCTOR ALLOY

摘要

실리콘/게르마늄 합금과 같은 임계치 조정용 반도체 합금을 증착하기 위한 선택적 에피택셜 성장 공정에서의 성장 비율은 선택적 에피택셜 성장 공정을 수행하는 단계 이전에 플라즈마 보조 에칭 공정을 수행함으로써 향상될 수 있다. 예를 들어, 마스크 층은 플라즈마 보조 에칭 공정을 근거로 하여 패터닝될 수 있으며, 그럼으로써 후속적인 성장 공정 중에 우수한 디바이스 지형을 동시에 제공할 수 있다. 따라서, 임계치 조정용 물질이 향상된 두께 균일성으로 증착될 수 있으며, 그럼으로써 전체 임계 변동성을 감소시킬 수 있다.