发明名称 利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法
摘要 本发明为一种利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法,以实现不同膜系结构镀制位置尺寸的精确控制。在同一块基板上实现两种光特性,在第一区处实现一款冷光镜,在第二区处实现750nm-800nm不透光,同时镀膜面一侧实现750nm-800nm波段的抗反射。本发明依据栅格结构制作相应的光刻掩模板,利用传统的旋涂方式涂胶,采用离子源辅助E-Beam蒸镀和磁控溅射镀膜方式分别实现介质膜和金属Cr膜的镀制,最后,利用丙酮溶液浸泡的方式除去光刻胶。本发明鉴于光刻技术在半导体行业里面的成熟运用,逐渐将光刻掩模抬离法应用到光学镀膜中来,其利用光刻掩模抬离法,实现了亚微米尺寸结构的精确控制。
申请公布号 CN105296942A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201510877569.0 申请日期 2015.12.04
申请人 北极光电(深圳)有限公司 发明人 李京辉;唐守利
分类号 C23C14/32(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/32(2006.01)I
代理机构 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人 刘海军
主权项 一种利用光刻掩膜抬离法实现光学镀膜的方法,其特征是:该方法包括下述步骤:<b>A、</b>利用离子源辅助E‑Beam蒸发镀膜方式在基板上镀制冷光镜;<b>B、</b>依据所要实现的亚微米栅格状结构制作相应的光刻掩模板,利用旋涂技术,将光刻胶涂敷到冷光镜上表面,实现第一区处图案的光刻胶覆盖;<b>C、</b>利用磁控溅射镀膜技术在步骤B完成之后的样品表面镀制一层Cr膜,形成第一区1填充光刻胶,第二区镀制Cr膜的布局;<b>D、</b>利用离子源辅助E‑Beam蒸发镀膜技术在步骤C完成之后的样品表面镀制750nm‑800nm范围的减反膜;<b>E、</b>将样品放置于丙酮中浸泡,使光刻胶发生脱落,露出第一区中的冷光镜。
地址 518000 广东省深圳市南山区朗山路华翰大厦C座201房