| 摘要 |
프로세싱 챔버와 단일 기판 프로세싱을 위한 처리액 운반 시스템을 포함하는 레지스트 제거 시스템을 위한 방법이 제공된다. 일차 스트리핑 화학 물질은 일차 온도 및 유량으로 처리액 운반 시스템 내에서 유동되고, 이차 스트리핑 화학 물질은 이차 온도 및 유량으로 제1 혼합 지점에서 주입된다. 삼차 스트리핑 화학 물질은 삼차 온도 및 삼차 유량으로 제2 혼합 지점에서 주입된다. 처리액은 기판 표면의 일부 상에 분배되고, 질화규소 및 산화규소의 에칭에 걸쳐 타겟 스트립 레이트 및 스트립 선택도를 충족시키기 위해, 일차 온도, 이차 온도, 삼차 온도, 일차 유량, 이차 유량, 및 삼차 유량 중 하나 이상이 조절된다. |
