发明名称 |
互连结构、半导体装置及制造其之方法 |
摘要 |
结构可以包括阶梯式地叠堆的绝缘层和插入在所述绝缘层之间的介电层。所述互连结构可以包括分别插入在所述绝缘层与所述介电层的周围侧壁之间的导电层。所述互连结构可以包括接触插塞,其各自耦接到所述导电层中的一个。接触插塞可以至少部分地通过所述介电层。
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申请公布号 |
TW201605015 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW104100534 |
申请日期 |
2015.01.08 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
李南宰 |
分类号 |
H01L25/04(2014.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/04(2014.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
主权项 |
一种互连结构,包括:阶梯式地堆叠的绝缘层;插入在所述绝缘层之间的介电层;导电层,其分别插入在所述绝缘层与所述介电层的周围侧壁之间;以及接触插塞,其各自耦接到所述导电层中的一个,其中,所述接触插塞至少部分地通过所述介电层。
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地址 |
南韩 |