蚀刻处理方法

摘要

明的课题是在于提供一种即使所被形成的图案的宽高比(Aspect Ratio)高，还是可防止图案变形之蚀刻处理方法。
其解决手段是在对处理室(15)内部施加电浆生成用的高频电力(55)，对基座(12)施加离子引入用的高频电力(56)，对上部电极板(27)施加负电位的直流电力之基板处理装置(10)中，改良在晶圆(W)上的光阻剂膜(45)中所被形成的图案(44)的形状时，以电浆蚀刻光阻剂膜(45)，利用该光阻剂膜(45)来以电浆蚀刻SiO2膜(40)时，将负电位的直流电力施加于上部电极板(27)，且脉冲波状施加电浆生成用的高频电力(55)及离子引入用的高频电力(56)，制作出电浆生成用的高频电力(55)及离子引入用的高频电力(56)不会被施加的状态。

主权项

一种蚀刻处理方法，系于基板处理装置中，对具有蚀刻对象膜及形成于该蚀刻对象膜上的遮罩膜且载置于上述载置台的基板实施蚀刻处理之蚀刻处理方法，该基板处理装置系具备在内部产生电浆的处理室、配置于该处理室内部的载置台及与该载置台对向来配置于上述处理室内部的电极，对上述处理室内部施加比较频率高的第1高频电力，对上述载置台施加频率比上述第1高频电力更低的第2高频电力，对上述电极施加直流电力，其特征系具有：对象膜蚀刻步骤，其系以电浆蚀刻上述蚀刻对象膜，而于上述蚀刻对象膜形成图案，在上述对象膜蚀刻步骤中，将上述直流电力施加于上述电极，且至少将上述第2高频电力脉冲波状施加于上述载置台，在上述直流电力被施加于上述电极的期间，制作出上述第2高频电力未被施加于上述载置台的状态，藉此使在上述基板的表面上产生的鞘层消灭，而使从被施加上述直流电力的上述电极产生的电子往上述图案进入。