发明名称 | 电浆体蚀刻装置 | ||
摘要 | 明公开了一种可原位执行深沟槽图形蚀刻制程和无图形蚀刻制程的电浆体蚀刻装置,包括反应腔室,其具有夹持基片的静电夹盘和设于基片外周侧并位于基片上方的可移动的环状遮蔽部件;用于驱动环状遮蔽部件在垂直方向上移动的驱动单元和控制单元。在待进行深沟槽图形蚀刻制程时控制单元控制驱动单元驱动环状遮蔽部件定位于远离基片的第一位置,在待进行无图形蚀刻制程时控制单元控制驱动单元驱动环状遮蔽部件定位于邻近基片的第二位置。本发明能够有效改善高深宽比结构图形蚀刻的形貌控制以及无图形蚀刻的均匀性。 | ||
申请公布号 | TW201604954 | 申请公布日期 | 2016.02.01 |
申请号 | TW103143954 | 申请日期 | 2014.12.16 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 杨军;李俊良 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志青 | |
主权项 | 一种电浆体蚀刻装置,用于原位执行深沟槽图形蚀刻制程和无图形蚀刻制程,其特征在于,该电浆体蚀刻装置包括: 反应腔室,其具有: 用于夹持待处理基片的静电夹盘; 可移动的环状遮蔽部件,设于所述基片外周侧并位于所述基片的上方; 驱动单元,用于驱动所述环状遮蔽部件在垂直方向上移动;以及 控制单元,与所述驱动单元相连,其在待进行所述深沟槽图形蚀刻制程时控制所述驱动单元驱动所述环状遮蔽部件定位于远离所述基片的第一位置,在待进行所述无图形蚀刻制程时控制所述驱动单元驱动所述环状遮蔽部件定位于邻近所述基片的第二位置。 | ||
地址 | 中国 |