具矽穿孔之半导体装置

摘要

明揭示一种具矽穿孔之半导体装置，包括一基板、一外介电层、一内介电层及一导电接触层，其中该基板包含有至少一矽穿孔，系由该基板的一上表面延伸至邻近该基板之相对该上表面的一下表面处，该外介电层覆盖该基板的该上表面，该内介电层覆盖该矽穿孔的一内壁面，该内介电层的厚度由该上表面朝该下表面的方向递减，该导电接触层填充于该矽穿孔内且暴露出该基板的该上表面。藉此，可克服外介电层会导致漏电的缺陷。

主权项

一种具矽穿孔之半导体装置，包括：一基板，包含有至少一矽穿孔，系由该基板的一上表面延伸至邻近该基板之相对该上表面的一下表面处；一外介电层，覆盖该基板的该上表面；一内介电层，覆盖该矽穿孔的一内壁面，该内介电层的厚度由该上表面朝该下表面的方向递减；一导电接触层，填充于该矽穿孔内且暴露出该基板的该上表面；以及一图案化导电层，覆盖该矽穿孔且与部分该外介电层、部分该内介电层及该导电接触层相连接。