| 发明名称 | 薄膜电晶体 | ||
| 摘要 | 薄膜电晶体，其包括闸极、闸绝缘层、半导体层以及源极与汲极。闸绝缘层覆盖闸极。半导体层位于闸绝缘层上且配置于闸极上方。源极与汲极配置于闸绝缘层上且分别与半导体层电性连接。源极与汲极分别位于不同的膜层。源极与半导体层之间具有第一接触阻抗，汲极与半导体层之间具有第二接触阻抗，且第一接触阻抗小于第二接触阻抗。 | ||
| 申请公布号 | TW201605053 | 申请公布日期 | 2016.02.01 |
| 申请号 | TW103125087 | 申请日期 | 2014.07.22 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 姜信铨;刘恩池;陈玉仙;吕雅茹;黄彦余 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 叶璟宗;詹东颖;刘亚君 | |
| 主权项 | 一种薄膜电晶体，包括：一闸极；一闸绝缘层，覆盖该闸极；一半导体层，位于该闸绝缘层上且配置于该闸极上方；以及一源极与一汲极，配置于该闸绝缘层上且分别与该半导体层电性连接，其中，该源极与该汲极分别位于不同的膜层，该源极与该半导体层之间具有一第一接触阻抗，该汲极与该半导体层之间具有一第二接触阻抗，且该第一接触阻抗小于该第二接触阻抗。 | ||
| 地址 | 桃园市龙潭区华映路1号 | ||