| 发明名称 | 来自叠对之晶圆弯曲的修正方法 | ||
| 摘要 | 所揭露者为一种用以将基板(像是半导体晶圆)平坦化以减少在如此基板中之弯曲的方法。方法包含以具不同剂量、密度及空间位置的颗粒来处理或轰击基板的背侧表面。颗粒轰击及选定系使得藉由选择性地增加或减少Z高度点使基板变得更加平坦而减少整体的弯曲。可将一或更多拉伸性或压缩性膜增加到背侧表面上以供在特定点位置被选择性地松弛。如此方法可修正基板中由不同制造程序(像是热退火)所导致的弯曲。 | ||
| 申请公布号 | TW201604931 | 申请公布日期 | 2016.02.01 |
| 申请号 | TW104111436 | 申请日期 | 2015.04.09 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 德维利耶 安东Ｊ |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
| 主权项 | 一种用以将基板平整化的方法，该方法包含： 接收一基板，该基板具有至少被部份制造于该基板之一顶部表面上的复数半导体结构，该基板具有非平坦的一背侧表面，该背侧表面系因该复数半导体结构的制造而非平坦，该背侧表面系与该顶部表面相反； 识别在该基板之该背侧表面上的变形区域； 基于所识别之在该基板之该背侧表面上的该等变形区域，引导颗粒撞击该基板之该背侧表面。 | ||
| 地址 | 日本 | ||