| 发明名称 |
闩锁电路及包含该闩锁电路的半导体装置 |
| 摘要 |
明揭示一种闩锁电路，包含：第一至第N储存节点，其中N为等于或大于四的偶数；以及第一至第N电晶体对，每一者系包含透过该第一至第N储存节点的一对应节点彼此串联耦合之一PMOS电晶体以及一NMOS电晶体。该PMOS电晶体耦合至该等储存节点之一者，该节点包含在该PMOS电晶体闸极上该等电晶体对之前一者内。该NMOS电晶体耦合至该等储存节点之一者，该节点包含在该NMOS电晶体闸极上该等电晶体对之后一者内。该第一至第N电晶体对之该等PMOS电晶体形成于第一主动区域内。该第一至第N电晶体对的该等NMOS电晶体形成于与该第一主动区域相隔的一第二主动区域内。
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| 申请公布号 |
TW201604866 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW103139613 |
申请日期 |
2014.11.14 |
| 申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
池性洙 |
| 分类号 |
G11C11/412(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/11(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/412(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖安国;王立成 |
| 主权项 |
一种闩锁电路，包含：第一至第N储存节点，其中N为等于或大于四的偶数；以及第一至第N电晶体对，每一者包含透过该第一至第N储存节点的一对应节点彼此串联耦合之一PMOS电晶体以及一NMOS电晶体，其中该PMOS电晶体耦合至该等储存节点之一者，该节点包含在该PMOS电晶体闸极上该等电晶体对之前一者内，其中该NMOS电晶体耦合至该等储存节点之一者，该节点包含在该NMOS电晶体闸极上该等电晶体对之后一者内，其中该第一至第N电晶体对之该等PMOS电晶体形成于第一主动区域内，以及其中该第一至第N电晶体对之该等NMOS电晶体形成于与该第一主动区域相隔的一第二主动区域内。
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| 地址 |
南韩 |
