| 发明名称 |
ＧａＡｓ结晶 |
| 摘要 |
As结晶(35)系于在(100)面内之s个地点测定拉曼光谱，在第i个地点测得之拉曼光谱中将归属于GaAs之纵光学声子之振动之第1峰之拉曼位移表示为xi，将氖之明线峰之拉曼位移表示为xBL之情形时，下述式1所示之△x(1)为20cm-1以下。
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| 申请公布号 |
TW201604531 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW104108193 |
申请日期 |
2015.03.13 |
| 申请人 |
住友电气工业股份有限公司 |
发明人 |
谷崎圭佑;并川靖生 |
| 分类号 |
G01N21/65(2006.01);H01L33/30(2010.01);C01G15/00(2006.01);C30B29/42(2006.01) |
主分类号 |
G01N21/65(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种GaAs结晶，其系于在(100)面内之s个地点测定拉曼光谱，在第i个地点测得之拉曼光谱中将归属于GaAs之纵光学声子之振动之第1峰之拉曼位移表示为xi，将氖之明线峰之拉曼位移表示为xBL之情形时，下述式1所示之△x(1)为20cm-1以下，
式1中，i及s均为大于0之自然数。
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| 地址 |
日本 |
