发明名称 |
用于CMOS架构的穿隧式场效电晶体(TFET)以及制造N型与P型TFET的方式 |
摘要 |
明说明了用于CMOS架构的穿隧式场效电晶体(TFET)以及制造N型及P型TFET的方式。例如,一穿隧式场效电晶体(TFET)包含被配置在一基材之上的一同质接面主动区。该同质接面主动区包含其中有一未掺杂通道区之一松弛锗或锗锡合金基体。该同质接面主动区也包含被配置在该通道区的两侧上的该松弛锗或锗锡合金基体中之掺杂源极及汲极区。该TFET也包含被配置在该源极及汲极区之间的该通道区上之一闸极堆叠。该闸极堆叠包含一闸极介电质部分及闸极部分。
|
申请公布号 |
TW201605051 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW104135227 |
申请日期 |
2013.11.11 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
寇利尔 罗沙;赛亚 史蒂芬;狄威 吉伯特;朱功 班杰明;艾维可 尤嘉;罗伊斯 瑞菲尔;查德瑞 安纳拉;林顿二世 汤玛士;杨 艾恩;坎恩 克莱恩 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种穿隧式场效电晶体(TFET),包含:被配置在一松弛基材之上的一同质接面主动区,该同质接面主动区包含:其中有一未掺杂通道区之一双轴拉伸应变锗或Ge1-ySny基体;以及被配置在该通道区的两侧上的该双轴拉伸应变锗或Ge1-ySny基体中之掺杂源极及汲极区;以及被配置在该源极及汲极区之间的该通道区上之一闸极堆叠,该闸极堆叠包含一闸极介电质部分及闸极部分。
|
地址 |
美国 |