| 发明名称 |
半导体器件以及其制造方法 |
| 摘要 |
明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括基板以及形成在基板上的MOS电晶体。MOS电晶体包括在基板上形成的第一闸极绝缘层，在第一闸极绝缘层的一侧上形成并且厚度大于第一闸极绝缘层的第二闸极绝缘层，在第一闸极绝缘层和第二闸极绝缘层上形成的闸极，邻近第一闸极绝缘层的源区，以及邻近第二闸极绝缘层的漏区。 |
| 申请公布号 |
TW201605045 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW104122461 |
申请日期 |
2015.07.13 |
| 申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
金东昔;李政官 |
| 分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
何秋远 |
| 主权项 |
一种半导体器件，包括： 基板；以及 形成在所述基板上的MOS电晶体， 其中所述MOS电晶体包括： 形成在所述基板上的第一闸极绝缘层； 形成在所述第一闸极绝缘层的一侧上，并且厚度大于所述第一闸极绝缘层的第二闸极绝缘层； 形成在所述第一闸极绝缘层和所述第二闸极绝缘层上的闸极； 邻近所述第一闸极绝缘层的源区；以及 邻近所述第二闸极绝缘层的漏区。 |
| 地址 |
南韩 |
