| 发明名称 |
太阳电池及制造太阳电池的方法 |
| 摘要 |
用于自第一导电性类型之半导体基板(1)制造太阳电池的方法(100；100a；100b；100c)，所述半导体基板具有前表面(2)及后表面(3)。所述方法循序地包含：纹理化(102)所述前表面以形成经纹理化之前表面(2a)；藉由第一导电性类型之掺杂剂之扩散来在所述经纹理化之前表面中形成(103)第一导电性类型之经掺杂之层(2c)，且在所述后表面中形成所述第一导电性类型之后表面场层(4)；藉由适于保留所述经纹理化之前表面的纹理的蚀刻制程，自所述经纹理化之前表面移除(105；104a)所述第一导电性类型之经掺杂之层；藉由使第二导电性类型之掺杂剂扩散至所述经纹理
化之前表面中，在所述经纹理化之前表面上形成(106)所述第二导电性类型之层(6)。
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| 申请公布号 |
TWI520363 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW099128482 |
申请日期 |
2010.08.25 |
| 申请人 |
荷兰史迪克汀艾能吉翁德卓克中心 |
发明人 |
巴顿 波 科内黎司;纳贝尔 罗奈德 科内黎司 加尔德;史泰生 阿诺 费迪南 |
| 分类号 |
H01L31/075(2012.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/075(2012.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 |
| 主权项 |
一种方法(100；100a；100b；100c)，其用于自第一导电性类型之半导体基板(1)制造太阳电池，所述半导体基板具有前表面(2)及后表面(3)，所述方法循序地包括：纹理化(102)所述前表面以形成经纹理化之前表面(2a)；藉由第一导电性类型之掺杂剂之扩散来在所述经纹理化之前表面中形成(103)第一导电性类型之经掺杂之层(2c)，且在所述后表面中形成所述第一导电性类型之后表面场层(4)；藉由适于保留所述经纹理化之前表面的纹理的蚀刻制程，自所述经纹理化之前表面移除(105；104a)所述第一导电性类型之经掺杂之层；藉由使第二导电性类型之掺杂剂扩散至所述经纹理化之前表面中，在所述经纹理化之前表面上形成(106)第二导电性类型之层(6)。
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| 地址 |
荷兰 |
