半导体元件及其制造方法

摘要

半导体元件的制造方法。此制造方法包括：备制具有电晶体区与对准区的基板；分别在电晶体区的基板中形成第一沟槽，以及在对准区的基板中形成第二沟槽；在电晶体区的基板中形成漂移区；形成两个第三沟槽，分别邻接于漂移区的两端；以及分别在第一沟槽中形成隔离图案，在第二沟槽中形成埋入式介电图案，并且在两个第三沟槽中形成介电图案。第一沟槽的深度小于第三沟槽的深度，而且第一沟槽的深度等于或实质上等于第二沟槽的深度。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：备制基板，其具有电晶体区与对准区；分别在该电晶体区的该基板中形成第一沟槽，并在该对准区的该基板中形成第二沟槽；在该电晶体区的该基板中形成漂移区；形成两个第三沟槽，分别邻接于该漂移区的两端；以及分别在该第一沟槽中形成隔离图案，在该第二沟槽中形成埋入式介电图案，并在该些第三沟槽中分别形成介电图案，其中该第一沟槽的深度小于该些第三沟槽的一深度，而且该第一沟槽的该深度等于或实质上等于该第二沟槽的深度。