低差排密度氮化镓（ＧａＮ）之生长方法

摘要

磊晶横向过度生长技术之新变型来获得高品质之独立的GaN，其中仅藉由调整生长参数来产生3D岛状物或特征部。之后，藉由设定能产生更多横向生长的生长条件来完成此些岛状物的平滑化(2D生长)。重覆3D-2D生长导致线差排之多重弯折，因此产生线差排密度低于106cm-2的厚层或独立的GaN。

主权项

一种低缺陷密度GaN之制造方法，其包含下列步骤：a)在一基板之表面上直接生长一GaN之磊晶层，其中该基板系选自由蓝宝石、尖晶石、GaN、AlN、GaAs、Si、SiC(6H-，4H-,3C-)、LiAlO2、LiGaO2、ZrB2及HfB2所构成的族群；b)接续生长GaN层，以形成岛状特征部；及c)在增加横向生长之条件下，自该岛状特征部生长GaN层直到该岛状特征部完全接合(coalescence)为止，且未使用任何类型之遮罩；其中：步骤b)之温度不大于950℃；步骤c)之温度系高于步骤b)之温度；且供接续生长GaN以制造岛状特征部及平滑表面的该步骤b)及c)系至少再重覆一次。