| 发明名称 |
半导体元件和形成垂直结构的方法 |
| 摘要 |
一示范实施例，本发明提供一种形成一具有至少二阻障层之垂直结构的方法。该方法包括以下步骤：提供一基板；提供一基板上之垂直结构；提供一位于垂直结构之一源极、一通道、与一汲极上之第一阻障层；和提供一位于垂直结构之一闸极与一汲极上之第二阻障层。
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| 申请公布号 |
TW201605040 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW104112171 |
申请日期 |
2015.04.16 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
彭治棠;黄泰钧;蔡腾群;林正堂;陈德芳;王立廷;王建勋;林焕哲;卢永诚;李资良 |
| 分类号 |
H01L29/66(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/66(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
冯博生 |
| 主权项 |
一种形成一具有至少二阻障层之垂直结构的方法，包括：提供一基板；提供一位于该基板上方之垂直结构；提供一位于该垂直结构之一源极、一通道、与一汲极上方之第一阻障层；和提供一位于该垂直结构之一闸极与该汲极上方之第二阻障层。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
