半导体基板之切断方法

摘要

表面上呈矩阵状形成有功能元件之半导体基板之切断方法，其特征为包括以下步骤：以前述半导体基板的背面作为雷射光入射面，沿着设定成通过呈矩阵状配置之相邻的功能元件间之切断预定线来照射雷射光，以在前述半导体基板的内部形成短暂熔融后再固化的领域之熔融处理领域，利用该熔融处理领域来沿着前述半导体基板的切断预定线形成切断起点领域的步骤；以及以前述切断起点领域为起点，沿着前述切断预定线将前述半导体基板切断，以将前述半导体基板依前述功能元件各个进行分割之切断步骤。

主权项

一种半导体基板之切断方法，是在表面上以矩阵状图样形成复数个功能元件之半导体基板之切断方法，系包括切断起点区域形成步骤及黏着薄片伸张步骤；该切断起点区域形成步骤，藉由沿着设定成通过相邻的功能元件间之格子状的切断预定线照射雷射光，在前述半导体基板的内部形成改质区域，利用该改质区域，沿着前述半导体基板之前述格子状的切断预定线形成切断起点区域；该黏着薄片伸张步骤，藉由将黏贴于前述半导体基板的背面之黏着薄片的周围朝向外侧伸张，以前述切断起点区域为起点沿着前述格子状的切断预定线依前述功能元件各个进行切断，并让前述半导体基板的切断面从密合状态沿着前述格子状的切断预定线互相分离。