发明名称 |
堆叠式电容器结构及其制造方法 |
摘要 |
堆叠式电容器结构,包括基底以及多个堆叠式电容器。基底具有中间绝缘层,中间绝缘层中设置有多个接触插塞,且接触插塞暴露于基底之上表面。各堆叠式电容器包括下电极、介电层以及上电极。下电极形成于各暴露的接触插塞上,下电极具有柱状底部以及冠状顶部,且冠状顶部形成有凹槽。介电层形成于下电极上,且介电层共形地覆盖下电极。上电极形成于介电层上,且上电极和下电极之间以介电层相隔离。
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申请公布号 |
TWI520191 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW102114139 |
申请日期 |
2013.04.22 |
申请人 |
华亚科技股份有限公司 |
发明人 |
李宗翰 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/8242(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
庄志强 |
主权项 |
一种堆叠式电容器结构的制造方法,其系于一基底上制造多个堆叠式电容器,该基底具有一中间绝缘层,该中间绝缘层中设置有多个接触插塞,且该些接触插塞暴露于该基底之上表面,该堆叠式电容器结构的制造方法包括:在各该暴露的接触插塞上形成一下电极材料柱状物;在该基底上形成一第一牺牲层,其中该些下电极材料柱状物埋设于该第一牺牲层中;在该第一牺牲层上形成多个开口,以暴露该些下电极材料柱状物之顶端;形成一下电极材料层于该些开口中,该下电极材料层覆盖该些开口的内壁以及该些暴露的下电极材料柱状物之顶端;去除该第一牺牲层,以形成多个下电极,其中各该下电极包括一柱状底部以及一冠状顶部,该冠状顶部具有一凹槽,且相邻的该下电极间形成有一间隙;形成一介电层于该些下电极上,其中该介电层共形地覆盖该些凹槽的内壁以及该些间隙的内壁;以及形成一上电极于该介电层上。
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地址 |
桃园市龟山区复兴三路667号 |