沟渠式萧特基二极体

摘要

沟渠式萧特基二极体，包含：一基板、一n型的磊晶层、一金属层、数个氧化层、一连接该基板的第一电极，以及一连接该磊晶层的第二电极。该磊晶层位于该基板上，并包括数个沟槽。该金属层包括数个分别位于该等沟槽的金属填槽部，该金属层的材料功函数大于或等于4.8电子伏特。该等氧化层分别位于该等沟槽并且分别位于每一金属填槽部与该磊晶层之间。藉由该等沟槽填入具有高功函数之金属层材料，使本发明具有较佳的顺向偏压特性。因此，本发明在能承受高逆向偏压的同时，还具有良好的顺偏特性，同时还保有萧特基元件之切换快速的优点。

主权项

一种沟渠式萧特基二极体，包含：一基板；一n型的磊晶层，位于该基板上，并包括一朝向该基板的第一面、一相反于该第一面的第二面，以及数个自该第二面朝该第一面凹设的沟槽；一金属层，包括数个分别位于该等沟槽的金属填槽部，该金属层的材料功函数大于或等于4.8电子伏特；数个氧化层，分别位于该等沟槽并且分别位于每一金属填槽部与该磊晶层之间；一第一电极，连接该基板；及一第二电极，位于该磊晶层的第二面上且覆盖该金属层。