非挥发性记忆装置及其控制方法

摘要

明揭示一种非挥发性半导体记忆装置，其包括一记忆胞阵列及施加一电压至该阵列之一控制电路。该阵列包括一第一线路、与该第一线路交叉之一第二线路及安置于该第一与该第二线路之一相交点上的一记忆胞，该记忆胞包括一可变电阻元件。该电路重复施加一第一写入电压至一选定之记忆胞的一第一电压施加步骤及施加一验证电压至该记忆胞且比较穿过该记忆胞之一记忆胞电流与一第一临限电流的一第一验证步骤，重复该等步骤直至该记忆胞电流与该第一临限电流之一量值关系满足一第一条件为止。若满足该第一条件，则该电路执行施加一第二写入电压至该记忆胞之一第二电压施加步骤。

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其包括：一记忆胞阵列；及一控制电路，其施加一电压至该记忆胞阵列，该记忆胞阵列包括：一第一线路；一第二线路，其与该第一线路交叉；及一记忆胞，该记忆胞安置于该第一与该第二线路之一相交点上，该记忆胞包括一可变电阻元件，该记忆胞以可重写之方式储存资料，在资料重写中，该控制电路重复执行施加一第一写入电压至一选定之记忆胞的一第一电压施加步骤及施加一验证电压至该选定之记忆胞且比较流经该选定之记忆胞的一记忆胞电流与一第一临限电流之一第一验证步骤，重复执行该等步骤直至该记忆胞电流与该第一临限电流之一量值关系满足一第一条件为止，且若满足该第一条件，则该控制电路执行施加高于该第一写入电压之一第二写入电压至该选定之记忆胞的一第二电压施加步骤。