| 发明名称 | 电阻式记忆体装置及其制作方法 | ||
| 摘要 | 电阻式记忆体装置，包括：一基板；一下电极，位于基板上方；一下电阻转态层，位于下电极上；一界面层，位于下电阻转态层与下电极间；一上电阻转态层，位于下电阻转态层上；及一上电极，位于上电阻转态层上。 | ||
| 申请公布号 | TWI520394 | 申请公布日期 | 2016.02.01 |
| 申请号 | TW102137251 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 曾俊元;黄骏扬;黄崇佑;蔡宗霖 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/324(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
| 主权项 | 一种电阻式记忆体装置，包括：一基板；一下电极，位于该基板上方；一下电阻转态层，位于该下电极上；一界面层，位于该下电阻转态层与该下电极间，其中该界面层是氮氧化钛或氮氧化钽；一上电阻转态层，位于该下电阻转态层上；及一上电极，位于该上电阻转态层上。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||