厚半绝缘或绝缘磊晶氮化镓层及并入其之装置

摘要

明提供半导体装置结构及制造半导体装置结构之方法，该等半导体装置结构包括在一导电半导体基板及/或一导电层上之一半绝缘或绝缘GaN磊晶层。该半绝缘或绝缘GaN磊晶层具有至少约4 μm之厚度。本发明亦提供GaN半导体装置结构及制造GaN半导体装置结构之方法，该等GaN半导体装置结构包括一导电SiC基板及在该导电SiC基板上之一绝缘或半绝缘GaN磊晶层。该GaN磊晶层具有至少约4 μm之厚度。本发明亦提供GaN半导体装置结构及制造GaN半导体装置结构之方法，该等GaN半导体装置结构包括一导电GaN基板、一在该导电GaN基板上之绝缘或半绝缘GaN磊晶层、一在该GaN磊晶层上之GaN基之半导体装置及一导通孔及该导通孔中之相应的导通金属，其延伸穿过该GaN基之半导体装置之多层及GaN磊晶层。

主权项

一种半导体装置结构，其包含：一导电半导体基板；一在该半导体基板上之半绝缘或绝缘GaN磊晶层，该半绝缘或绝缘GaN磊晶层具有至少约4μm之厚度；及一安置于该基板与该半绝缘或绝缘GaN磊晶层之间之导电缓冲层。