| 摘要 |
기판에 대한 스파이크 어닐 프로세스를 제어하기 위한 방법 및 시스템으로서, 하나 이상의 목적, 하나 이상의 흡수층, 선택된 하나 이상의 흡수층의 흡수율을 변경하는 기법, 가열 디바이스에 사용되는 하나 이상의 파장을 선택하는 것을 포함한다. 선택된 흡수 변경 기법을 이용하여 변형된 기판이 제공된다. 스파이크 어닐 프로세스는 선택된 가열 디바이스 및 선택된 스파이크 어닐 프로세스 변수들을 사용하여 기판에 대해 수행된다. 스파이크 어닐 프로세스 변수들, 선택된 흡수율 변경 기법, 선택된 하나 이상의 파장, 및/또는 선택된 가열 디바이스 중 하나 이상은 스파이크 어닐 프로세스의 하나 이상의 목적을 충족시키기 위해 조절된다. |
