形成记忆体单元材料之方法、形成半导体装置结构之相关方法、记忆体单元材料以及半导体装置结构

摘要

明阐述一种形成一记忆体单元材料之方法，该方法包括：藉由原子层沈积在一基板上方形成一介电材料之一第一部分。藉由原子层沈积在该介电材料之该第一部分上形成离散导电粒子。藉由原子层沈积在该等离散导电粒子上及之间形成该介电材料之一第二部分。本发明亦阐述一种记忆体单元材料、一种形成一半导体装置结构之方法及一种半导体装置结构。

主权项

一种形成一记忆体单元材料之方法，其包括：藉由原子层沈积在一基板上方形成一介电材料之一第一部分；藉由原子层沈积在该介电材料之该第一部分上形成离散导电粒子；及藉由原子层沈积在该等离散导电粒子上及之间形成该介电材料之一第二部分。