非易失性记忆体装置的单位单元、非易失性记忆体装置的单元阵列及制造其之方法

摘要

单元系包含一具有一主动区域的基板、一设置在该基板上以交叉该主动区域的第一电荷捕陷图案、一设置在该基板上以交叉该主动区域并且和该第一电荷捕陷图案间隔开的第二电荷捕陷图案、一设置在介于该第一及第二电荷捕陷图案之间的该主动区域中的第一接面区域、一设置在相邻该第一电荷捕陷图案的与该第二电荷捕陷图案相对的一侧边的该主动区域中的第二接面区域、以及一设置在相邻该第二电荷捕陷图案的与该第一电荷捕陷图案相对的一侧边的该主动区域中的第三接面区域。

主权项

一种非易失性记忆体装置的单位单元，该单位单元包括：一具有一主动区域的基板；一设置在该基板上以交叉该主动区域的第一电荷捕陷图案；一设置在该基板上以交叉该主动区域并且和该第一电荷捕陷图案间隔开的第二电荷捕陷图案；一设置在介于该第一及第二电荷捕陷图案之间的该主动区域中的第一接面区域；一第二接面区域，其设置在相邻该第一电荷捕陷图案的与该第二电荷捕陷图案相对的一侧边的该主动区域中，并且藉由一第一平面的通道区域以和该第一接面区域间隔开；以及一第三接面区域，其设置在相邻该第二电荷捕陷图案的与该第一电荷捕陷图案相对的一侧边的该主动区域中，并且藉由一第二平面的通道区域以和该第一接面区域间隔开。