运用于双埠静态记忆体的写入扰动减轻电路

摘要

运用于双埠静态记忆体的写入扰动减轻电路，包括：一第一放电控制路径，连接于该第二埠位元线、该第一埠位元线、与一第一控制线；以及一第二放电控制路径，连接于该第二埠反相位元线、该第一埠反相位元线、与该第一控制线；其中，当该第二埠位元线为一高电压且该第一埠位元线为一低电压且该第一控制线动作时，产生一第一放电电流由该第二埠位元线流向该低电压；以及当该第二埠反相位元线为该高电压且该第一埠反相位元线为该低电压且该第一控制线动作时，产生一第二放电电流由该第二埠反相位元线流向该低电压。

主权项

一种双埠静态记忆体，包含：一记忆胞，包括：一第一埠字元线、一第一埠位元线、一第一埠反相位元线、一第二埠字元线、一第二埠位元线、一第二埠反相位元线以及一栓锁电路；其中，该栓锁电路的一输出端耦接至该第一埠位元线与该第二埠位元线；该栓锁电路的一反相输出端耦接至该第一埠反相位元线与该第二埠反相位元线；以及一写入扰动减轻电路，包括：一第一放电控制路径，连接于该第二埠位元线、该第一埠位元线、与一第一控制线；其中当该第二埠位元线为一高电压且该第一埠位元线为一低电压且该第一控制线动作时，产生一第一放电电流由该第二埠位元线流向该低电压；以及一第二放电控制路径，连接于该第二埠反相位元线、该第一埠反相位元线、与该第一控制线；其中当该第二埠反相位元线为该高电压且该第一埠反相位元线为该低电压且该第一控制线动作时，产生一第二放电电流由该第二埠反相位元线流向该低电压。