发明名称 |
用以侦测直通晶片通孔缺陷之积体电路 |
摘要 |
明提供一种在一晶圆级侦测一直通矽通孔是否具有缺陷之积体电路。该积体电路包含:一半导体基板;一直通矽通孔,其经组态以形成于该半导体基板中而自该半导体基板之表面延伸至一特定深度;一输出垫;及一电流路径提供单元,其经组态以在一测试模式期间将流动于该半导体基板与该直通矽通孔之间的一电流提供至该输出垫。 |
申请公布号 |
TWI520297 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW100108584 |
申请日期 |
2011.03.14 |
申请人 |
海力士半导体股份有限公司 |
发明人 |
金大石;李锺天;金澈 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01);H01L23/045(2006.01);H01L23/049(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种积体电路,其包括:一半导体基板;一直通矽通孔,其经组态以自该半导体基板之表面延伸至该半导体基板中至一特定深度;一输出垫,其形成于该半导体基板上;及形成于该半导体基板中之一电流路径提供单元,其经组态以建立一电流路径且在一测试模式期间将流动于该半导体基板与该直通矽通孔之间的一电流经由该电流路径提供至该输出垫。
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地址 |
南韩 |