| 摘要 |
발광 다이오드 칩이 개시된다. 이 발광 다이오드 칩은, 기판 상부에 서로 이격되어 위치하며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 복수의 발광셀들; 발광셀들 상부에 위치하고, TiO와 SiO를 교대로 적층한 상부 구조체; 및 인접한 발광셀들의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층을 각각 전기적으로 연결하는 배선을 포함한다. 나아가, 상부 구조체는 배선 및 발광셀들 상에 위치한다. |
