具有减少应变发光层之III族氮化物发光装置

摘要

本发明实施例，藉由在一种III族氮化物装置中包括一应变消除层来减少该装置发光层中之应变。该应变消除层成长于其上之表面经组态以致使应变消除层可侧向扩展且至少部分地松弛。在本发明一些实施例中，该应变消除层系成长于一纹理化半导体层或一遮罩层上。在本发明一些实施例中，该应变消除层系一组半导体材料柱。

主权项

一种发光装置，其包含：一具有复数个开口之遮罩层(24)；以及一III族氮化物结构，其包含：对应于该遮罩层中之开口之复数个半导体材料柱(26)，其中该复数个柱系由一绝缘材料(25)隔开，且其中，在平行于该遮罩层一表面之平面中，该复数个柱之一截面之侧向范围(lateral extent)系该发光装置之侧向范围的至少90%；及一布置于一n型区域与一p型区域之间之发光层，其中该发光层之一主要表面(major surface)实质上平行于该遮罩层之一表面。