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经营范围
发明名称
光电转换装置和其制造方法
摘要
提供一种具有新的抗反射结构的光电转换装置。在半导体表面上使相同种类或不同种类的半导体成长来形成不均匀结构,而不是藉由蚀刻半导体基板或半导体膜的表面来形成抗反射结构。例如,藉由在光电转换装置的光入射表面一侧设置其表面具有多个突出部分的半导体层,大幅度减小表面反射。该结构可以藉由气相成长法形成,因此不污染半导体。
申请公布号
TWI520355
申请公布日期
2016.02.01
申请号
TW100120888
申请日期
2011.06.15
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
坚石李甫;栗城和贵
分类号
H01L31/04(2014.01)
主分类号
H01L31/04(2014.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
一种光电转换装置,包含:第一导电层;该第一导电层上的多个第二导电层,该多个第二导电层各个与该第一导电层直接接触;该第一导电层和该多个第二导电层上的第一半导体区域,该第一半导体区域包含多个须状物;以及该第一半导体区域上的第二半导体区域,该第二半导体区域具有不均匀表面,其中该第一半导体区域和该第二半导体区域各个是晶体半导体区域,其中该第一半导体区域和该第二半导体区域具有不同种类的导电型,以及其中该多个须状物的轴方向不一致。
地址
日本
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