| 发明名称 |
化合物半导体结晶之制造方法、电子装置之制造方法，及半导体基板 |
| 摘要 |
请提供一种化合物半导体结晶之制造方法，其系具备：在表面为矽结晶之基底基板上形成包含Cx1Siy1Gez1Sn1-x1-y1-z1(0≦x1＜1、0≦y1≦1、0≦z1≦1并且0＜x1+y1+z1≦1)之牺牲层之牺牲层形成步骤；在牺牲层上形成晶格匹配或拟晶格匹配于牺牲层之化合物半导体结晶之结晶形成步骤；以及藉由蚀刻牺牲层而由基底基板剥离化合物半导体结晶之结晶剥离步骤。 |
| 申请公布号 |
TWI520175 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW099131584 |
申请日期 |
2010.09.17 |
| 申请人 |
住友化学股份有限公司 |
发明人 |
佐泽洋幸 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/306(2006.01);C30B25/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种化合物半导体结晶之制造方法，系具备：在前述基底基板上形成阻碍层之阻碍层形成步骤；蚀刻前述阻碍层，在前述阻碍层形成露出前述基底基板之一部分之开口之开口形成步骤；仅在藉由前述开口露出之前述基底基板之前述一部分上，形成包含Cx1Siy1Gez1Sn1-x1-y1-z1(0≦x1<1，0≦y1≦1，0≦z1≦1，并且0<x1+y1+z1≦1)之牺牲层之牺牲层形成步骤；前述牺牲层之一部分保持于露出之状态，仅在前述牺牲层上结晶成长晶格匹配或拟晶格匹配于前述牺牲层之化合物半导体结晶之结晶形成步骤；以及藉由蚀刻前述牺牲层而由前述基底基板剥离前述化合物半导体结晶之结晶剥离步骤，其中，前述阻碍层系阻碍在由前述开口露出之前述基底基板上之前述一部分以外之部分之前述牺牲层及前述化合物半导体结晶之成长；前述阻碍层具有从2nm至500nm之厚度；以及前述化合物半导体结晶系包含Al、Ga、In中之至少一种作为第Ⅲ族元素，包含N、P、As、Sb中之至少一种作为第V族元素之第Ⅲ-V族化合物半导体结晶。
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| 地址 |
日本 |
