发明名称 用于堆叠式影像感测器中之像素之负偏压基板
摘要 明揭示一种像素单元,其包含一光电二极体,该光电二极体安置在一第一半导体晶片内以回应于入射在该光电二极体上之光而累积一影像电荷。一转移电晶体安置在该第一半导体晶片内且耦合至该光电二极体以自该光电二极体转移该影像电荷。一偏压电压产生电路安置在一第二半导体晶片内以产生一偏压电压。该偏压电压产生电路耦合至该第一半导体晶片以使用该偏压电压来加偏压于该光电二极体。该偏压电压相对于该第二半导体晶片之一接地电压系负的。一浮动扩散区安置在该第二半导体晶片内。该转移电晶体经耦合以将该影像电荷自该第一半导体晶片上之该光电二极体转移至该第二半导体晶片上之该浮动扩散区。
申请公布号 TW201605243 申请公布日期 2016.02.01
申请号 TW103138107 申请日期 2014.11.03
申请人 豪威科技股份有限公司 发明人 代铁军;王睿;戴 戴森H;真锅宗平
分类号 H04N5/357(2011.01);H04N5/374(2011.01) 主分类号 H04N5/357(2011.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种像素单元,其包括:一光电二极体,其安置在一第一半导体晶片内以回应于入射在该光电二极体上之光而累积一影像电荷;一转移电晶体,其安置在该第一半导体晶片内且耦合至该光电二极体以自该光电二极体转移该影像电荷;一偏压电压产生电路,其安置在一第二半导体晶片内以产生一偏压电压,其中该偏压电压产生电路耦合至该第一半导体晶片以使用该偏压电压来加偏压于该光电二极体,其中该偏压电压相对于该第二半导体晶片之一接地电压系负的;及一浮动扩散区,其安置在该第二半导体晶片内,其中该转移电晶体经耦合以将该影像电荷自该第一半导体晶片上之该光电二极体转移至该第二半导体晶片上之该浮动扩散区。
地址 美国