| 发明名称 |
包含三维记忆胞阵列结构的半导体记忆体装置及操作其之方法 |
| 摘要 |
操作方法包含当施加一第一通过电压至复数个字线时，偏压胞串中的未被选择的胞串的通道区域至一初始电压；浮接所述未被选择的胞串的通道区域；在所述通道区域的所述浮接的期间增加所述第一通过电压至一第二通过电压；以及从所述胞串中的所选的胞串的所选的记忆胞读取资料。
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| 申请公布号 |
TW201604892 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW104100378 |
申请日期 |
2015.01.07 |
| 申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
崔世卿;崔殷硕;吴政锡 |
| 分类号 |
G11C7/12(2006.01);G11C7/18(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种三维的半导体记忆体装置的操作方法，所述半导体记忆体装置包含分别具有堆叠在一基板之上并且耦接至复数个字线的记忆胞的胞串，所述操作方法包括：当施加一第一通过电压至所述复数个字线时，偏压所述胞串中的未被选择的胞串的通道区域至一初始电压；浮接所述未被选择的胞串的所述通道区域；在所述通道区域的所述浮接的期间增加所述第一通过电压至一第二通过电压；以及从所述胞串中的所选的胞串的所选的记忆胞读取资料。
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| 地址 |
南韩 |
