| 摘要 |
본 발명은 스퍼터링에 의해 +c 극성의 에피텍셜 박막을 제조할 수 있는 에피텍셜 성막 방법, 상기 성막방법에 적합한 진공처리장치, 및 이 에피텍셜 박막을 이용한 반도체 발광소자 제조방법뿐만 아니라 반도체 발광소자 및 이 제조방법에 의해 제조된 조명장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에서, 히터를 이용해 소정 온도로 가열된 에피텍셜 성장용 기판에 스퍼터링함으로써 우르츠광 구조를 갖는 반도체 박막을 에피텍셜로 성장시키는 성막 방법은 다음 단계를 포함한다. 먼저, 기파은 상기 기판이 기설정된 거리만큼 히터로부터 떨어져 배치되도록 히터를 포함한 기판 홀더에 배치된다. 그런 후, 우르츠광 구조를 갖는 반도체 박막의 에피텍셜 박막이 기설정된 거리만큼 히터로부터 떨어려 배치된다. |
