至少部分分离磊晶层的方法

摘要

从基材至少部分分离材料磊晶层的方法。该方法包括下述步骤：于该基材上形成一图案化牺牲层，使得该基材为该牺牲层部分地暴露及部分地覆盖；以奈米磊晶横向过度生长于该图案化牺牲层上生长该磊晶层，使得该磊晶层形成于包括该图案化牺牲层及该材料之一中间层的上方；及选择地蚀刻该图案化牺牲层，使得该磊晶层从该基材至少部分地分离。

主权项

一种从基材至少部分分离材料磊晶层的方法，该方法包括以下步骤：于该基材上形成一图案化牺牲层，使得该基材为该牺牲层部分地暴露及部分地覆盖；以奈米磊晶横向过度生长于该图案化牺牲层上生长该磊晶层，使得该磊晶层形成于包括该图案化牺牲层及该材料之一中间层的上方；及选择地蚀刻该图案化牺牲层，使得该磊晶层从该基材脱黏而掀离。