半导体装置的制造方法

摘要

明的一个实施方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成第一导电体；在第一导电体上形成第一绝缘体；在第一绝缘体上形成具有氧化铝的第二绝缘体；以与第二绝缘体的顶面接触的方式形成第三绝缘体；在第一绝缘体、第二绝缘体及第三绝缘体中设置到达第一导电体的开口部；在第三绝缘体上且在开口部内形成第二导电体；藉由去除第三绝缘体上的第二导电体的一部分来在开口部内形成其顶面与基板的底面平行的第三导电体；以及在第三绝缘体上形成具有氧化物半导体的第一电晶体。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成第一导电体；在该第一导电体上形成第一绝缘体；在该第一绝缘体上形成包含氧化铝的第二绝缘体；以与该第二绝缘体的顶面接触的方式形成第三绝缘体；在该第一绝缘体、该第二绝缘体及该第三绝缘体中设置到达该第一导电体的开口部；在该第三绝缘体上且在该开口部内形成第二导电体；藉由去除该第三绝缘体上的该第二导电体的一部分在该开口部中形成其顶部与该基板的底面平行的第三导电体；以及在该第三绝缘体上形成包含氧化物半导体的第一电晶体。