双沟槽式的功率半导体元件及其制造方法

摘要

双沟槽式的功率半导体元件，包括基材、位于所述基材内的第一沟槽、位于所述基材内的第二沟槽、第一导电型的漂移区、第一介电层、第一闸极结构、第二导电型的第一掺杂层以及第一导电型的源极区。漂移区位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间与下方。第一介电层覆盖所述第一沟槽的内侧表面，第一闸极结构位于所述第一沟槽内。第一掺杂层位于所述漂移区内且紧邻所述第二沟槽的侧壁，其中所述第二导电型的电性与所述第一导电型的电性相反。源极区位于所述漂移区的上部分。

主权项

一种双沟槽式的功率半导体元件，包括：一基材；一第一沟槽，位于所述基材内；一第二沟槽，位于所述基材内；一第一导电型的漂移区，位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，且所述漂移区位于所述第一沟槽与所述第二沟槽下方；一第一介电层，覆盖所述第一沟槽的内侧表面；一第一闸极结构，位于所述第一沟槽内；一第二导电型的第一掺杂层，位于所述漂移区内且紧邻所述第二沟槽，所述第二导电型的电性与所述第一导电型的电性相反；以及一第一导电型的源极区，位于所述漂移区的上部分。