氮化物半导体结构

摘要

氮化物半导体结构。氮化物半导体结构包括基板、碳化矽成核层、复合缓冲层以及氮化物半导体层。碳化矽成核层位于基板上。复合缓冲层位于碳化矽成核层上。氮化物半导体层位于复合缓冲层上。此外，所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构。

主权项

一种氮化物半导体结构，包括：一基板；一碳化矽成核层，位于该基板上；一复合缓冲层，位于该碳化矽成核层上；以及一氮化物半导体层，位于该复合缓冲层上，其中该氮化物半导体结构为一无氮化铝(AlN free)的半导体结构。