发明名称 |
简单及免费的多次可程式结构 |
摘要 |
明提出一种用于非挥发性记忆体单元的简单且免费的多次可程式结构。该记忆体单元包括备有隔离井的基板、设置于该基板中的高电压井区域以及第一与第二井。该记忆体单元进一步包括彼此相邻且设置于该第二井之上的具有选择闸极的第一电晶体以及具有浮动闸极的第二电晶体。所述电晶体包括设置于邻近所述闸极的侧边的第一以及第二扩散区域。控制闸极设置于该第一井之上并耦合至该浮动闸极。该控制及浮动闸极包括延伸跨过该第一及第二井的相同闸极层。该控制闸极包括电容。
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申请公布号 |
TW201605025 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW104112181 |
申请日期 |
2015.04.16 |
申请人 |
格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
史摩 达尼 帕克奇摩;傅 仰伟;史葛 宾德尔;孙远;马恩 马恩 葛尤 安葛 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
一种非挥发性多次可程式记忆体单元,包括:备有隔离井的基板;设置于该隔离井内的高电压井区域;设置于该高电压井区域内的第一及第二井;彼此相邻且设置于该第二井之上的具有选择闸极的第一电晶体以及具有浮动闸极的第二电晶体,所述电晶体包括设置邻近于所述闸极的侧边的第一及第二扩散区域;以及设置于该第一井之上的控制闸极,其中,该控制闸极耦合至该浮动闸极,并且该控制闸极及浮动闸极包含延伸跨过该第一及第二井的相同闸极层,以及该控制闸极包括电容。
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地址 |
新加坡 |