发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
明之一目标为提供具有新颖结构之半导体装置。该半导体装置包括第一布线;第二布线;第三布线;第四布线;第一电晶体,包括第一闸极电极、第一源极电极及第一汲极电极;第二电晶体,包括第二闸极电极、第二源极电极及第二汲极电极。第一电晶体系提供于包括半导体材料之基板上,及第二电晶体包括氧化物半导体层。
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申请公布号 |
TW201604876 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW104134538 |
申请日期 |
2010.11.05 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;小山润;加藤清 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种用于驱动半导体装置的方法,包括:第一线;第二线;储存单元;第一电路,电连接到该第一线;以及第二电路,电连接到该第二线,该方法包括写入步骤和读取步骤,该写入步骤包括如下步骤:选择多个写入电位中的一个;以及将该多个写入电位中的该一个输出到该第一线,以及该读取步骤包括如下步骤:将该第二线的电位与多个参考电位进行比较,其中该储存单元包括:第一电晶体,包括第一闸极、第一源极和第一汲极;第二电晶体,包括第二闸极、第二源极和第二汲极;以及第三电晶体,包括第三闸极、第三源极和第三汲极,其中该第二电晶体包括氧化物半导体层,其中该第一闸极以及该第二源极和该第二汲极中的一个彼此电连接,
其中该第一汲极和该第三源极彼此电连接,其中该第二线和该第三汲极彼此电连接,以及其中该第一线以及该第二源极和该第二汲极中的另一个彼此电连接。
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地址 |
日本 |